TDK电容C4532 1206 NPO 100V 0.1UF 5%

详情描述：

1、介电常数        
不同介质的类别有不同的表现效果。环境因素，包括温度、电压、频率和时间（老化），对不同介质的电容有不同的影响。介质常数（K值）越高，稳定性能、可靠性能和耐用性能便越差。 现代多层陶瓷电容器介质常用有以下三类。
? COG或NPO（超稳定） K值10~100
? X7R（稳定）K值2000~4000
? Y5V或Z5U（一般用途）K值5000~25000
2、绝缘电阻（IR）
即介质直流电阻， 通常测量方法是以额定电压将电容充电一分钟，电容充 电以后测量其漏电电流。 所施加的直流电压和初始充电时间之后的漏电流的比值为IR值， 这个数值为漏电流和绝缘电阻。
3、损耗（ＤＦ）和品质因数（Q）
在外加电压作用下，单位时间内因发热而消耗的能量，叫电容器的损耗。理想的电容器把从电源中得到的能量，全部贮存在电容器有介质中，不发生任何形式的能量消耗， 事实上电容器在外加电压的作用下是要消耗能量的，介质漏电流，缓慢极化（电偶极矩在电场作用下发生偏转） ，内外电极金属部位的等效电阻都会消耗一部分能量，形成电容器的损耗。过高的电容器损耗会产生热量使电容器温度升高，造成电路工作状态不稳定，加速电容器的老化。
 电容器的好坏并不能单以电容器的消耗能量的多少来定论，因此，一般用电容器的损耗角正切来表示。 电容器的损耗角正切是指在一定频率的正弦电压作用下， 消耗在电阻上的有功功率和贮存在电容器中的无功功
率的比值。因此，其是一个无单位的量。即：
Tgδ ＝有功功率/无功功率
介质损耗同电容量一样，在实际使用中同温度、工作频率、电容器两端所加的电压有很大的关系。
4、耐电压（DWV）
电容器的耐电压性能就是指电容器的陶瓷介质在工作状态中能够承受的大电压，即击穿电压，也就是电容器的极限电压。
未来全球MLCC市场需求将随着下游电子消费品的更新换代而持续增长；通过技术进步，MLCC对其他类型电容器的替代作用也将日趋明显。而对于国内的MLCC厂商而言，受惠于电子整机生产厂商本地采购、国内电子产品普及和国家政策支持等有利因素推动，未来发展潜力更为巨大。
（1）电子消费品的更新换代及新产品的不断涌现将持续提高市场对MLCC的需求
MLCC被广泛应用于包括消费类电子产品（Consumer Electronic）、通信通讯（Communication）、计算机（Computer）在内的3C产品及其他电子行业等。就单机使用MLCC数量而言，以笔记本电脑、LCD/LED电视及手机用量大，单台笔记本电脑MLCC量约为400-800只，单台LCD/LED电视用量约500-800只，单部手机MLCC量200-400只不等。而随着生活质量及技术水平的不断提升，电子消费品的更新换代速度加快，新产品不断涌现。公司管理层预计未来下游市场对于MLCC的需求将因此持续增长，增长较快的应用领域包括手机、笔记本电脑及LCD/LED平板电视等。
①手机
手机的更新换代将带来市场对MLCC的较大需求。据统计，智能手机所需要的MLCC件比一般手机多出25%；功能手机方面仅增加照相功能一项就需增加25%的MLCC使用量。而根据isupply预计，2010年全球手机出货量增速为12%，其中智能手机的出货量增速将达到38%，总额为2.6亿台；苹果IPHONE手机出货量有望超过4,000万台，增幅达到74%。据此估计，全球新增智能手机和功能手机所需MLCC量将超过900亿只。
②个人电脑
Windows7.0全球推广带来了个人电脑的更换和升级，同时增加了市场对MLCC的需求。原计算机所用的P3主板使用MLCC量为347只，在P4主板上增加为405只，增幅约17%，主要增加规格为0402。此外，P4主板对于MLCC容量的要求也有提高，原P3主板主要用常规MLCC，1μF以上的MLCC只用7只，但P4仅4.7μF以上的MLCC就需50只，部分MLCC容量更需达到10μF以上。随着iPAD的推出，全球兴起了平板电脑的热潮，这一新产品也将带动电子整机产业对MLCC的需求。
根据Gartner预计，2010年全球个人电脑出货量将增长22%，同时，平板电脑的出货量将达到1,000万台，至2014年，全球平板电脑的出货量将增长6倍。而IDC则表示，2010年、2011年全球电脑销售增长率将分别达到8.66%、7.14%，2011年全球电脑总销售量将达到3.90亿台。公司管理层预计，因个人电脑更新换代和平板电脑带来的全球MLCC需求增长将达到近700亿只。[1]
一NPO电容器
　　NPO是一种常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
　　NPO电容器是电容量和介质损耗稳定的电容器之一。在温度从-55℃到 125℃时容量变化为0?30ppm/℃，电容量随频率的变化小于?0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于?0.05%，相对大于?2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于?0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。
封 装DC=50V DC=100V
0805 0.5---1000pF 0.5---820pF
1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF
1210 560---5600pF 560---2700pF
2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF
NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。